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国产32层3DNANDFlash存储芯片实现量产

2019-11-10 02:26:11来源:励志吧0次阅读

2018年5月16日人民网转载《长江日报》报道:中国第一代自主可控32层三维闪存芯片产品已于2017年10月下线并提交客户试用产品研发从验证试制转向规模量产,并于今年4月9日取得中国电子信息展览会(CITE2018)金奖。

据悉,64层三维闪存芯片研发也在紧锣密鼓地进行计划2019 年实现量产。长江存储的目标是2023年实现30万片/月产能年产值1000亿元预计满足国内闪存需求量50%。

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